近幾月來三星Note5/S6 Edge+、魅族MX5、紅米Note2、一加2、華為榮耀7等一大波新機的相繼發布，高通、三星、聯發科、海思四家芯片廠商在2015年的年度旗艦產品也一同面市，它們分別是“發燒不退”的驍龍810、成功“逆襲成為高富帥”的三星Exynos 7420、重返高端市場的聯發科Helio X10（MT6795）以及相對低調的海思麒麟935。 雖然高通一直對外宣稱高通驍龍810不存在發熱問題，但是眾多廠商的降溫措施掩蓋不了發熱的本質，但即使這樣，它仍是高通的當家“真旗艦”（驍龍808笑而不語）。而同時，高通的老對手近幾年出了悶聲發大財外也在試圖擺脫山寨低端的形象，分別與HTC和魅族合作推出了M9+和MX5，而近日的紅米Note2的低價卻再次將聯發科打入谷底（隊友太坑，著實無奈）。今天樓主就任性地為大家帶來這四款市售主流SoC芯片的詳細介紹以及橫向對比，我們一起來近距離感受下各家的真“芯”旗艦。
1、高通驍龍810：由于自主研發的Kryo架構延期，高通在驍龍810上直接采用了ARM的公版架構。具體來看，驍龍810搭載4個2.0GHz主頻的Cortex-A57核心和4個1.5GHz主頻的Cortex-A53核心；GPU則采用了高通自家的Adreno 430；集成雙核SIP，最高可支持5500萬像素的攝像頭；基帶芯片最高可提供LTE CAT6的4G全網通能力；內存控制器可支持雙通道LPDDR4（1600MHz），有效帶寬25.6GBps，基于20NM工藝制造。  至于高通驍龍810發熱的原因，現在看來應該是20nm無法控制A57的發熱，但在高通驍龍810量產前也只有三星和intel擁有1xNM工藝。  2、三星Exynos7420：跳過了20NM工藝，直接豪賭14NM FinFET工藝的三星終于得到了回報。搭載自家Exynos 7420的Galaxy S6、S6 Edge不僅成功避開了驍龍810延期的影響提前上市，而且對于改善三星創新乏力的形象作用顯著，實際性能也讓發燒的810甘拜下風。  從具體架構上來說，Exynos 7420采用4個2.1GHz主頻的Cortex-A57核心和4個1.5GHz主頻的Cortex-A53核心組成異步大小核架構，GPU部分則采用了八核的Mali-T760 MP8，主頻為772MHz，基于14NM FinFET工藝制造，基帶芯片能達到LTE CAT6級別，內存控制器可支持雙通道LPDDR4（1552MHz），有效內存帶寬24.8GBps。  3、聯發科Helio X10（MT6795）:聯發科MT6795依然基于28NM工藝打造，技術上無法搞定相比A53性能提升56%，但功耗同時高出256%的Cortex-A57架構。因此，聯發科選擇了同時搭載8個Cortex-A53核心，標準版MT6795主頻為2.0GHz，高主頻版本MT6795T主頻則提升到2.2GHz，而且是8核全部可以超頻到這一主頻。  Helio X10GPU依然沿用MT6595上的Power VR G6200，內存控制器支持雙通道LPDDR3 933MHz內存，基帶芯片速率為LTE CAT4級別，雙2000萬像素ISP，有效內存帶寬為14.9GBps，參數相對上面兩位略顯平庸。  4、海思麒麟930/935：和聯發科一樣，麒麟930、935也是基于28NM工藝打造，與MT6795不同的是，海思采用4個高主頻的A53e核心（930為2.0GHz，935為2.2GHz）和4個1.5GHz低主頻的A53核心組成異步八核架構，GPU部分為“祖傳”Mali T628 MP4。LTE基帶芯片速率達到LTE CAT 6級別，支持海思獨家的TAS智能天線調節技術。聯發科和海思都選擇跳過目前的Cortex-A57，等待臺積電的16NM工藝，基于A72架構的麒麟950已經在路上了。 
看過上面的解析后，SoC芯片究竟如何還是要拉出來實測一把才能知曉。像目前頂級的驍龍810這種級別的旗艦處理器，即使不做優化，日常使用也絕對不會感到明顯的卡頓現象。基準跑分測試，早已不再是衡量一款手機流暢與否的標尺，至少不能直接將跑分高與流暢好用劃上等號。廠商針對性的優化以及跑分軟件自身的因素，也使得跑分本身的說服力大不如前。  但對于本次市售主流SoC芯片對比實測來說，相同的測試工具無疑為我們提供了一個統一的標準。 測試方法 1、CPU、GPU測試選用的軟件分別為跨平臺權威測試軟件GeekBench 3.0以及GFXBench 3.0.32，對于國產手機廠商常用的安兔兔，我們也進行了相應測試。 2、持續工作下的穩定性測試，我們使用了更接近日常使用環境測試的StabilityTest（測試項：CLASSIC STABILITY TEST）進行壓力測試。 3、另外，我們也安排了28分鐘的GFXBench電池壓力測試，通過連續運行30次高水平的霸王龍場景測試，查看其性能的變動情況，并記錄這個過程中的最高溫度。該測試更加接近大家日常玩大型3D游戲時的狀態。
 聯發科MT6795以及麒麟935均采用了高主頻A53核心，單線程方面，麒麟935憑借高出的200MHz主頻略微勝過MT6795，應該與MT6796T性能一致。 多線程運算方面，聯發科MT6795憑借八個A53核心全部超頻的雞血狀態，甚至跑過了三星Exynos 7420，高主頻優勢明顯。而驍龍810在這個過程中，四個A57核心僅僅堅持了幾秒鐘便相繼退出，僅僅依靠四個A53外加偶爾覺醒下的A57勉強支撐，跑分與麒麟935比較趨近。
 三星Exynos 7420的表現令人印象十分深刻，八核高主頻Mali-T760的表現甚至超過了驍龍810引以為豪的Adreno 430。但是，三星S6以及S6 Edge今年都采用了2K分辨率屏幕，增加的像素需要額外耗費一定的資源進行渲染。在實際2K分辨率測試情況下，Exynos 7420 GPU性能下降大約在33％左右。  聯發科和海思的GPU分別與前代魅族MX4上的MT6595以及Mate7上的麒麟925基本一致，聯發科的PowerVR G6200實際性能稍好些，麒麟935的GPU由于是祖傳，所以......
 在大多數情況下，廠商一般只會公布安兔兔總體跑分情況，在未經過特別優化的情況下，它更多的是反應一款手機的整體狀況，其中還包括了存儲性能、內存芯片性能等的測試，作為對單純SoC的衡量，我們還是需要對比看下其中的具體分項測試數據。單純用總分來描述SoC并不準確。
▲在長達30分鐘的高強度霸王龍場景測試中，驍龍810的整體性能表現逐步下滑，過程比較平滑，驍龍810的GPU穩定性表現不錯，在1080P分辨率狀況下，整個過程中運行十分流暢，完全沒有卡頓情況。整個過程中的實測最高溫度為47.9攝氏度。  ▲Exynos 7420在初步的下滑后，在接近20分鐘的時間里一直保持驚人的穩定性，再使用了高主頻八核Mali-T760的情況下，還能做到這種水平，14NM FinFET的工藝作用的確顯著。在實際測試過程中，2K分辨率下的游戲畫面也非常流暢，性能絕對夠用。整個過程中的實測最高溫度為47.3攝氏度。  ▲海思935由于祖傳GPU，在28分鐘的測試過程中，整體表現出臺階式的性能滑坡。在實際測試過程中，海思935的測試畫面也是四者中最卡的，整體畫面較為拖沓，后期可見比較明顯的卡頓，體驗較差。整個過程中的實測最高溫度為37.5攝氏度。  ▲和前面的日常壓力下CPU測試一樣，聯發科MT6795整體波動較大，八核隨著時間的延長依次關閉，對性能影響顯著。在實際測試過程中，一開始的測試畫面整體比較流暢，到測試末期則出現了比較明顯的掉幀和拖沓現象。整個過程中的實測最高溫度為43.1攝氏度。 
通過上面的全面解析以及多個場景下的測試，我們可以發現在如今的64位架構ARM Cortex-A5X時代，三星憑借著14NM FinFET工藝的巨大優勢，充分的釋放了A57的高性能優勢，GPU部分也大幅補強，這對于今年三星S6、S6 Edge形象提升作用巨大，同時也能夠吸引到蘋果、高通等大客戶的關注。 而驍龍810經過廠商們的持續優化，A57帶來的過熱問題被抑制在合理的范圍內，當然CPU性能上難免會有所打折。強大的GPU普遍與1080P屏幕搭配，則充分體現了它在GPU方面的巨大優勢，可以說作為一名游戲以及大型應用愛好者，驍龍810仍然是你的不二選擇。深受過熱問題困擾的高通，已經將未來全部押寶在下一代自主架構上。 聯發科與海思這兩款芯片由于受制于工藝技術采取了相對保守的八個A53核心架構的，至少不會讓二者在64位大時代被拋下。兩者也只能算是兩家的過渡產品。近日，聯發科已經發布了擁有十核心架構的Helio X20，而華為基于臺積電16NM工藝的麒麟950也在最近泄露了跑分圖。相信，16年的手機CPU大戰已然拉開序幕，孰強孰弱，16年見分曉！ |
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