在上周的3G/LTE峰會上,Qualcomm將旗下的驍龍?zhí)幚砥飨盗羞M(jìn)一步完善,推出了驍龍617、430兩款新型號,同時也公布了關(guān)于驍龍820處理器在調(diào)制解調(diào)器、快速充電等方面的更多細(xì)節(jié)。同時高通也確認(rèn)了Snapdragon 820將于2016年第一季度正式上市銷售。高通的高管認(rèn)為,得益于14nm FinFET工藝打造的最新自主Kyro CPU內(nèi)核,Snapdragon 820在性能和能效都有大幅提升,確切的說是兩倍提升。重點(diǎn)在于,高通采用并深度優(yōu)化了異構(gòu)計(jì)算模式,讓各個組件更好的分工,內(nèi)核負(fù)擔(dān)減輕不少。![]() Quick Charge 3.0 Qualcomm在此次峰會上還發(fā)布了Quick Charge 3.0新一代快速充電技術(shù)。Quick Charge 3.0可以向下兼容,支持QC 2.0同時也支持其他傳統(tǒng)USB充電設(shè)備。另外,Qualcomm無線充電技術(shù)WiPower現(xiàn)在已經(jīng)能夠支持金屬背板無線充電,基于磁場共振為智能手機(jī)充電。 ![]() ![]() 產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò)、體驗(yàn)三者合一 采訪中圍繞內(nèi)核數(shù)的問題,Tim將Qualcomm驍龍?zhí)幚砥髀肪圖區(qū)分為兩部分,中低端產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)的ARM內(nèi)核(大小核),單核性能相對較低,因而選擇在數(shù)量上補(bǔ)足,使得加和性能更高,最新發(fā)布的驍龍617與驍龍430處理器分別面向中高與低端市場。驍龍?zhí)幚砥鞑捎蒙壍腦系列調(diào)制解調(diào)器,支持載波聚合,并且同國內(nèi)的運(yùn)營商合作發(fā)展4G+(基于CA載波聚合技術(shù)),首批支持4G+的終端已經(jīng)率先在國內(nèi)上市。 ![]() 跑分如何? 驍龍810跑出了63378分,驍龍820早期版本得到了66715分,最新版則達(dá)到70661分,勇破7萬大關(guān),提升幅度為5%、11%。在各個子項(xiàng)中,多任務(wù)、虛擬機(jī)、單線程整數(shù)、單線程浮點(diǎn)、3D繪圖分別提高了41%、60%、38%、77%、13%,但是其他項(xiàng)目表現(xiàn)一般,特別是CPU整數(shù)、CPU浮點(diǎn)、內(nèi)存運(yùn)算還有明顯倒退幅度為25%、18%、33%,3D繪圖、數(shù)據(jù)庫I/O則持平。也許目前還只是demo版本,后續(xù)在性能上還會有大幅度的提升。 ![]() |
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